Portal de Periódicos da CAPES

Caracterización por espectroscopía en el infrarrojo de óxidos de silicio depositados enambiente de N2O

2003; Volume: 16; Issue: 2 Linguagem: Espanhol

1665-3521

Arturo Morales‐Acevedo, Giovanny Sánchez,

Thin-Film Transistor Technologies

Se depositaron peliculas de oxido de silicio (SiOx:N) sobre silicio en un horno convencional en ambiente de oxido nitroso (N2O) a temperaturas entre 900 y 1100° C. Para cada temperatura se vario la presion entre 1 y 3 atmosferas. Por medio de FT-IR se muestra que la composicion de estas capas es aproximadamente la del dioxido de silicio (SiO2) acercandose mas a la de este material entre mayores sean la presion y la temperatura de crecimiento de las peliculas. Esto confirma que la concentracion del nitrogeno incorporado en las capas es pequena y localizada en una region muy estrecha dentro de las mismas