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Artigo Produção Nacional

BIBTEX RIS

Propriedades eletricas da liga alxga1 - xas dopada com silicio

1994; UNIVERSIDADE ESTADUAL DE LONDRINA; Volume: 14; Issue: 4 Linguagem: Português

10.5433/1679-0375.1994v14n4p329

1679-0359

Ivan Frederico Lupiano Dias, Rogério Chaves Miranda, Alfredo Gontijo de Oliveira,

Copper Interconnects and Reliability

Discutimos a influ e ncia das condi co es de crescimento, concentra ca o de dopantes e composi ca o sobre as proprie­dades el e tricas de amostras da liga tern a ria Al x Ga 1-x As dopada com Sil i cio, preparadas pela t e cnica de epitaxia por feixe mole­cular (MBE).