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Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de mems

2007; Mexican Society of Physics; Volume: 53; Issue: 6 Linguagem: Espanhol

2683-2224

Carlos Álvarez-Macías, C. Reyes‐Betanzo,

Plasma Diagnostics and Applications

Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicacion en la fabricacion de sistemas microelectro- mecanicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizo la contribucion de las componentes fisica y quimica sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variacion de la presion, bombardeo ionico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la region de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF 6 en mezcla con Ar, O 2 o CF 4 . se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dioxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisotrpo de hasta 4 μm/min con enmascarante de SiO 2 y velocidad de grabado isotrpo de hasta 13 μm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF 6/ O 2 . Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarizacion es el mas alto, y el material enmascarante presento un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos