Portal de Periódicos da CAPES

Electro y Foto-Conductividad de Cristales de Silenita Impurificados y con Alta Resistividad

2009; National Polytechnic Institute; Issue: 001 Linguagem: Espanhol

10.13053/cys-0-0-1024

2007-9737

Fernando Chávez Ramírez, Alexander V. Illinsky, T. Prutskij, Francisco Silva Andrade,

Metal Extraction and Bioleaching

CON AYUDA DEL EFECTO ELECTRO-OPTICO LONGITUDINAL Y TRASVERSAL SE HA MEDIDO LA ELECTRO Y LA FOTO-CONDUCTIVIDAD EN LOS CRISTALES FOTO REACTIVOS DE SELENITACION ALTA RESISTIVILIDAD. LA DINAMICA DE LA DISTRIBUCION DEL CAMPO ELECTRICO EN EL CRISTAL (DETECTADA SIMULTANEAMENTE EN ESPACIO Y TIEMPO), PERMITE LA POSIBILIDAD DE DETERMINAR PARAMETROS SEMICONDUCTORES MUY IMPORTANTES TALES COMO: EL TIPO DE PORTADOR DE CARGA MAYORITARIA, EL TIEMPO DE RELAJACION DE MAXWELL. LA LONGITUD DE ARRASTRE (I) DE LOS PORTADORES MAYORITARIOS, LA MOVILIDAD, LA LONGITUD SCHOTTKY (L) Y LA DENSIDAD DE CARGA ESPACIAL (P) QUE APARECE EN LA MUESTRA DURANTE EL PROCESO DE APANTALLAMIENTO DEL CAMPO. SE EMPLEARON MUESTRAS IMPURIFICADAS CON AL, CR, V, CO, FE, ND. LOS DATOS OBTENIDOS DE MEDICIONES ELECTRO-OPTICAS SE HAN COMPARADO CON SUS RESPECTIVOS ESPECTROS DE ABSORCION OPTICA.