Portal de Periódicos da CAPES

Untersuchungen zur Fehlordnung des γ‐CuJ

1971; Volume: 75; Issue: 6 Linguagem: Alemão

10.1002/bbpc.19710750605

0005-9021

G. W. Herzog, H. Krischner, Matthias Wabl,

Semiconductor materials and interfaces

Abstract Die Bildungsenergie für Schottkyfehler sowie für oktaedrische und tetraedrische Frenkelfehler in den γ‐Phasen der Cu‐I‐Halogenide wird näherungsweise unter der Voraussetzung eines starren Gitters berechnet. Sie beträgt für Schottkyfehler und Oktaederfehler 40 bis 50 kcal/mol und liegt für Tetraederfehler in der Größenordnung von Null kcal/mol. Durch Anwendung derselben Näherung auf NaCl, KCl und AgBr und durch Vergleich mit experimentellen Werten wird ihre Zulässigkeit überprüft. Der aus der niedrigen Fehlerbildungsenergie für Tetraederfehler vermutete hohe Fehlordnungsgrad der Cu‐Ionen wird durch Röntgen‐Zählrohraufnahmen an pulverförmigem γ‐CuJ nachgewiesen. Aus dem Vergleich beobachteter und berechneter Strukturfaktoren werden Schottky‐ und Oktaederfehler über 2% ausgeschlossen, nicht aber Tetraederfehler. Die beste übereinstimmung zwischen beobachteten und berechneten Strukturfaktoren (3 bzw. 4%) wird mit Fehlordnungsmodellen erzielt, bei denen ein hoher Prozentsatz der Cu‐Ionen nicht zur Interferenz beiträgt.