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A simple charge-based DLTS technique

1981; Wiley; Volume: 63; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210630241

1521-396X

K. I. Kirov, K. B. Radev,

Surface and Thin Film Phenomena

A charge-based DLTS technique is proposed for characterizing the interface states and, with some restrictions, the bulk traps in MIS, p–n, and Schottky-barrier diodes. The technique uses very simple devices — a mechanical chopper and a standard electrometer, but inspite of this a high sensitivity of the order of 108 eV−1 cm−2 can be reached when interface density is measured. The charge-based technique is more suitable than the capacitive one, when MIS capacitors made on high resistivity semiconductor material or such with a very thin insulating layer are studied. Es wird eine Ladungs-DLTS-Technik zur Charakterisierung der Grenzflächenzustandsdichte und mit einigen Einschränkungen auch der Volumenterme in MIS-, p–n- und Schottky-Dioden beschrieben. Die Technik benutzt sehr einfache Geräte — einen Zerhacker und ein Standardelektrometer. Trotzdem besitzt sie jedoch eine hohe Empfindlichkeit (108 eV−1 cm−2) für die Grenzflächenzustandsdichte. Die Ladungs-DLTS-Technik hat gewisse Vorteile vor der kapazitiven DLTS Technik, wenn MIS-Strukturen mit hochohmigen Halbleitersubstraten oder mit sehr dünnen Isolatorschichten untersucht werden.