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Electrical Properties of Bismuth Telluride Doped with Bismuth Iodide

1989; Wiley; Volume: 114; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211140128

1521-396X

Subhajit Biswas, R. Bhattacharya,

Physics of Superconductivity and Magnetism

Electrical conductivity and Hall coefficient of single crystals of Bi2Te3 doped with 3 wt% Bil3 are measured in thetemperature range 100 to 450 K. The concentrations of holes and electrons, their mobilities and activation energies are calculated without using any extrapolated value of temperature variation of conductivity. The valueof the activation energy obtained from the temperature variation of concentration of free carriers agrees fairly well with that obtained from the temperatures variation of electrical conductivity. Im Temperaturbereich von 100 bis 450 K werden elektrische Leitfähigkeit und Hallkoeffizient von Bi2Te3 -Einkristallen gemessen, die mit 3% BiJ3 dotiert sind. Die Elektronen- und Löcherkonzentration, ihre Beweglichkeit und Aktivierungsenergie werden ohne irgendwelche extrapolierten Werte der Temperaturänderung der Leitfähigkeit berechnet. Der aus der Temperaturänderung der Konzentration freier Träger ermittelte Wert der Aktivierungsenergie stimmt befriedigend mit dem aus der Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit erhaltenen überein.