Artigo
Revisado por pares
Observation of coreless dislocations in α-GaN
1997; Elsevier BV; Volume: 178; Issue: 1-2 Linguagem: Inglês
10.1016/s0022-0248(97)00081-x
ISSN1873-5002
AutoresD. Cherns, W. T. Young, J. W. Steeds, F. A. Ponce, Shuji Nakamura,
Tópico(s)Semiconductor materials and devices
Referência(s)