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SnO2Si photosensitive diodes

1975; Wiley; Volume: 32; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210320129

1521-396X

Hidemi Kato, Junji Fujimoto, Tatsuhiko Kanda, Akira Yoshida, Tetsuya Arizumi,

Nanowire Synthesis and Applications

The electric and photoelectric characteristics of SnO2Si nn heterojunctions were measured. A solution prepared by dissolving SnCl4 · x H2O in 1:5 mixture of conc. HCl and H2O was sprayed on the (111) surface of a Si single crystal wafer at a substrate temperature of 300 °C for a few minutes. Thus fabricated SnO2 n-type semiconducting film is so thin (<500Å) that its light transmission is very large. The SnO2–Si heterojunction is proved to be a good photodiode with large output current, fast response time, and high sensitivity in a wide wavelength range. The reproducibility and durability is also very good. Es werden die elektrischen und photoelektrischen Eigenschaften von SnO2–Si-n–n-Hetero-übergängen gemessen. SnCl4 · x H2O wurde in einer 1:5-Mischung von konzentrierter HCl und H2O aufgelöst, dann wurde die Lösung einige Minuten lang bei einer Substrattemperatur von 300 °C auf die (111)-Oberfläche der Si-Einkristallträger versprüht. Die so hergestellte SnO2-n-Halbleiterschicht ist so dünn (dünner als 500 Å), daß ihre Lichttransmission groß ist. Dieser SnO2–Si-Heteroübergang hat sich als gute Photodiode mit großem Ausgangsstrom, schneller Stromübertragung und hoher Empfindlichkeit in einem weiten Wellenlängenbereich erwiesen. Die Reproduzierbarkeit und die Haltbarkeit sind ebenfalls ausgezeichnet.