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Thermal decay of the VOH center in MgO

1971; Elsevier BV; Volume: 9; Issue: 20 Linguagem: Inglês

10.1016/0038-1098(71)90311-5

1879-2766

L. A. Kappers, John E. Wertz,

Advanced Chemical Physics Studies

The concentration of V− centers (a positive hole trapped at a cation vacancy) in MgO is observed to increase during the thermal decay of the related VOH centers at 20°C. This shows (at least for VOH) that, in the decay process at room temperature, hole release predominates over annihilation by electrons released from other centers. In röntgen-bestrahlten MgO Einkristallen beobachten wir by 20°C eine gleichzeitige Erhöhung der Konzentration von V− Zentren (ein Defekt-Elektron das an eine Kationlücke gebunden ist) als the VOH Zentren zerfallen. Solche Erhöhung beweist, dass der Zerfall meistens mit Befreiung des Defekt-Elektrons geschieht. (d.h., nicht durch Vernichtung eines von anderen Zentren befreiten Elektrons).