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Illumination with Ultraviolet Light of MOS Capacitors

1974; Wiley; Volume: 24; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210240208

1521-396X

J. L. Verhoeven, K. Saminadayar, J. C. Pfister,

Silicon Nanostructures and Photoluminescence

UV illumination of MOS capacitors induces an increase of the surface state density of the SiSiO2 interface. This increase depends on the number of charges which cross the structure during the illumination. Bias-temperature treatment are performed on preilluminated samples and an annihilation of the created surface states is observed depending on the bias. The results are explained by a qualitative model in which a breaking of SiH or SiOH bonds of the SiSiO2 heterojunction zone occurs during the illumination and a restructuration of these broken bonds occurs during the bias-temperature anneal. L'éclairement de capacités MOS avec de la lumière ultraviolette entraǐne une augmentation du nombre d'états de surface de l'interface SiSiO2. Cette augmentation dépend du nombre de charges qui traversent la structure pendant l'éclairement. On peut, par des recuits thermiques sous champ, annihiler les états de surface créés. L'ensemble des résultats peut s'expliquer par un modèle qualitatif dans lequel on a une dissociation des liaisons SiH ou SiOH de l'hétérojonction SiSiO2 lors de l'éclairement et l'annihilation des états de surface lors des recuits thermiques correspondrait an rétablissement de ces liaisons.