
Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells
2014; Elsevier BV; Volume: 61; Linguagem: Inglês
10.1016/j.physe.2014.04.001
ISSN1873-1759
AutoresLuis E. G. Armas, E. C. F. da Silva, Celso de Araújo Duarte, I. R. Pagnossin, A. A. Quivy, J. W. Menezes, Carlos Jacinto, Antônio Carlos Seabra, G. M. Gusev,
Tópico(s)Semiconductor materials and devices
Referência(s)