Voltar
Artigo Revisado por pares
BIBTEX RIS

0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate

2007; Elsevier BV; Volume: 84; Issue: 9-10 Linguagem: Inglês

10.1016/j.mee.2007.04.005

ISSN

1873-5568

Autores

Arito Ogawa, Kunihiko Iwamoto, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Minoru Ikeda, Toshihide Nabatame, Akira Toriumi,

Tópico(s)

Ferroelectric and Negative Capacitance Devices

Referência(s)
Ver no editor
Microelectronic Engineering
Altmetric
PlumX