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Artigo Acesso aberto Produção Nacional
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Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área

2010; SciELO; Volume: 63; Issue: 2 Linguagem: Português

10.1590/s0370-44672010000200011

ISSN

1807-0353

Autores

João Roberto Moro, Vladimir Jesús Trava-Airoldi, E.J. Corat, J. Eichenberger Neto, A. Amorim, Arnaldo Ribeiro Alves,

Tópico(s)

Advanced Surface Polishing Techniques

Resumo

Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.

Referência(s)