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Photoelectronic properties of ZnIn2S4

1974; Wiley; Volume: 23; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210230204

1521-396X

A. Cingolani, M. Ferrara, A. Minafra, F. Adduci, P. Tantalo,

Quantum Dots Synthesis And Properties

Photoluminescence, photoconductive and photovoltaic measurements have been performed on ZnIn2S4 between 80 °K and RT. The experimental results agree with absorption data and previous luminescence measurements. A quantitative analysis of photoconductivity gives an estimate of the μτ-product and diffusion length L. Nous avons mesuré la photoluminescence, la photoconductivité et l'effect photovoltaique dans le ZnIn2S4 pour un intervall de température comprise entre 80 °K et RT. Les valeurs expérimentales montre un bon accord avec les mesures d'absorption et les mesures de luminescence déja connues. L'analyse quantitative du photoconductivité donne le produit μτ et la longeur de diffusion L.