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Artigo Revisado por pares
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Oxygen-doped ZnTe phosphors for synchrotron X-ray imaging detectors

2006; Springer Science+Business Media; Volume: 35; Issue: 6 Linguagem: Inglês

10.1007/s11664-006-0252-4

ISSN

1543-186X

Autores

Zhitao Kang, Hisham Menkara, B. K. Wagner, Christopher J. Summers, R. Durst, Y. Diawara, G. Mednikova, T. Thorson,

Tópico(s)

GaN-based semiconductor devices and materials

Referência(s)
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Journal of Electronic Materials
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