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Zum einfluss von zinn auf das passivationsverhalten der bleidioxidelektrode

1989; Elsevier BV; Volume: 28; Issue: 4 Linguagem: Alemão

10.1016/0378-7753(89)80066-7

1873-2755

Harry Döring, J. Garche, W. Fischer, Κ. Wiesener,

Gas Sensing Nanomaterials and Sensors

Während der stromlosen Standzeit (Hochtemperaturtrocknung, Batterielagerung) verändert sich die Korrosionsschicht der PbO2-Elektrode. Das führt zu einem beträchtlichen Spannungsabfall (Passivation) bei der Entladung der Elektrode über die Korrosionsschicht. Nichtohmsche Eigenschaften sowie eine Potential- und Polaritätsabhängigkeit des Elektrodenwiderstandes werden durch potentiodynamisch erhaltene U—I-Kurven von passivierten und trocken-vorgeladenen PbO2-Elektroden nachgewiesen. Durch Impedanzmessungen an diesen Elektroden konnte gezeigt werden, dass die Passivschicht zusätzlich zu einem nichtlinearen Widerstandsanteil durch eine kapazitive Komponente beschrieben werden kann. Eine Passivation der PbO2-Elektrode während der Trocknung und Lagerung kann durch Auftragen einer Sn-Schicht auf das Elektrodengitter vermieden werden. Die Ursachen für die Nichtpassivierung der Elektrode in Gegenwart von Sn ist nicht klar. Verschiedene Möglichkeiten werden jedoch diskutiert, z.B. eine starke Dotierung des PbOn, die zu einem beträchtlichen Leitfähigkeitsanstieg des PbOn und möglicherweise zu einer Änderung des Halbleitertyps führt. During the open circuit period (high temperature drying, battery storage) the corrosion layer of the PbO2 electrode undergoes changes which lead to a considerable potential drop (passivation) at its discharge across the corrosion layer. The non-ohmic properties and the potential and polarity dependence of the electrode resistance was shown by potentiodynamically generated U—I curves at passivated dry-charged PbO2 electrodes. By impedance measurements at these electrodes it was shown that the passive layer is characterized by a capacity component, in addition to the non-linear resistance. The passivation of the PbO2 electrode during drying and storage is avoided by plating the grid of the electrode with a tin layer. The reason for the non-passivation of the electrode in the presence of tin is not clear. Different possibilities are discussed, e.g. a high doping of PbOn, so that this PbOn has a considerably higher conductivity and possibly also changes its kind of conductivity into an n-semiconductor.