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Materiales compuestos C/SiC para aplicaciones estructurales de alta temperatura. Parte II : Sistemas de protección contra la oxidación

2001; Elsevier BV; Volume: 40; Issue: 1 Linguagem: Espanhol

2173-0431

M. Aparicio, Alicia Durán,

Silicon Carbide Semiconductor Technologies

La utilizaci.n de los materiales compuestos C/SiC en aplicaciones estructurales a alta temperatura est. limitada por la elevada velocidad de oxidaci.n de la fibra de carbono a temperaturas superiores de 450¼C. En esta segunda parte del trabajo se realiza una revisi.n de las posibilidades de protecci.n contra la oxidaci.n de estos materiales, incluyendo inhibidores, modificaci .n superficial del material compuesto, recubrimientos e infiltraci.n previa del sustrato. La eficacia de los inhibidores de la reacci.n de oxidaci.n est. restringida a temperaturas de hasta 850¼C, mientras que la modificaci.n superficial del material compuesto da lugar a capas delgadas y poco resistentes a los ciclos t.rmicos. En cambio, los recubrimientos son el m.todo m.s empleado porque permiten combinar composiciones y espesores de capa muy variados. La estructura multicapa es especialmente interesante en el caso de aplicaciones con intervalos de temperatura de trabajo amplios y cuando el material va a estar sometido a choques t.rmicos. La infiltraci.n de la porosidad del sustrato s.lo mejora ligeramente la resistencia a la oxidaci.n del material compuesto C/SiC al reducir los caminos de acceso del ox.geno a las fibras de carbono. Sin embargo, la infiltraci.n complementa en gran medida las propiedades antioxidantes de los recubrimientos en el intervalo de bajas temperaturas, ya que .stos suelen presentar fisuras abiertas por diferencias de dilataci.n t.rmica con el sustrato.