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Charge transport study in thin film Au-CdTe schottky diodes

1988; Wiley; Volume: 106; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211060136

1521-396X

D. Kindl, J. Toušková,

Advanced Semiconductor Detectors and Materials

Au-CdTe diodes are prepared on CdTe thin layers deposited electrochemically. Measurements of dark I- U characteristics at several temperatures and C-U characteristics at room temperature in darkness are used for the studying of charge transport in the diodes. The results can be explained by a model consisting of the series connection of an Au—CdTe Schottky barrier, several intergranular (IG) barriers in CdTe layer, and a relatively small series resistance of bulk of the grains. Some parameters of transport as the quality factor of Schottky diode, barrier heights of both Schottky, and IG barriers are obtained and the impurity concentration and number of the grain boundaries are estimated by comparison of the theory with experiment. Les diodes Au-CdTe etaient préparées aux couches minces de CdTe déposées par la methode electrochimique. Pour l'étude de transport de charge dans les diodes on a employé des mesures de caractéristiques courant-tension à l'obscurité pour diverses températures et de caractéristiques capacite—tension à la température ambiante. On peut expliquer les résultats obtenus par un model consistant à une jonction en série de la barrèire Schottky de Au—CdTe, de plusierus barrières entre les grains (IG) dans la couche de CdTe et de résistance série faible de la zone neutre de grains. Quelques paramètres de transport comme le facteur d'idéalité de diode Schottky, la hauteur de barrière Schottky de měme que de IG barrières étaient reçus et la concentration d'impuretés et nombre de joints de grains ont été estimés par la comparison dela théorie avec nos observations experimentales.