High-temperature investigations of CdS single crystals. I. Electron concentration, Cd solubility, and charge of intrinsic defects
1976; Wiley; Volume: 33; Issue: 2 Linguagem: Inglês
10.1002/pssa.2210330236
ISSN1521-396X
AutoresL. I. Khandros, G. S. Pekar, М. К. Шейнкман, E. L. Shtrum,
Tópico(s)Chalcogenide Semiconductor Thin Films
ResumoThe electron concentration n in CdS single crystals was studied as a function of temperature (T = 300 to 1200 K) and Cd vapour pressure (pCd = 0.1 to 0.9 atm). It is found that at pCd = const the value of n non-monotonically depends on T and passes through a maximum. This points to a retrograde solubility of Cd in CdS; its dependence on pCd is determined. It is concluded that with decreasing temperature a part of the excess Cd forms agglomerates; the degree of dissociation of these agglomerates depends on T and is independent of pCd. The charge of the dominant electrically active defects changes within the investigated temperature range: these defects are singly charged at lower temperatures and doubly charged at higher temperatures. Es wurde die Elektronenkonzentration n in CdS-Einkristallen in Abhängigkeit von Temperatur (T = 300 bis 1200 K) und Cd-Dampfdruck (pCd = 0,1 bis 0,9 Atm) untersucht. Bei konstantem Cd-Dampfdruck hängt n von T nicht-monoton ab und durchläuft ein Maximum, was auf eine rückläufige Löslichkeit von Cd in CdS hindeutet, deren pCd-Abhängigkeit bestimmt wurde. Es wird geschlossen, daß ein Teil des überschüssigen Kadmiums mit abnehmender Temperatur agglomeriert. Der Dissoziationsgrad der Agglomerate ist temperaturabhängig und unabhängig von pCd. Die Ladung der dominierenden elektrisch aktiven Defekte ändert sich im untersuchten Temperaturbereich: Die Defekte sind bei niedrigen Temperaturen einfach und bei höheren doppelt geladen.
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