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Determination of deep-level parameters by isothermal deep-level transient spectroscopy with optical excitation

1993; Wiley; Volume: 138; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211380122

1521-396X

Ľ. Stuchlíková, L. Harmatha, V. Nágl, M. Gaži,

Ion-surface interactions and analysis

A modified isothermal deep level transient spectroscopy method, where the electrical excitation pulse is replaced by an optical one, is introduced. Results received by three measuring methods - modifications of DLTS (MCTS, IDLTS, and IDLTS with optical excitation) of measuring two deep energy levels on identical samples (Schottky barriers on epitaxial GaAs layer grown on bulk n-GaAs by VPE) are compared. It is shown that the data extracted from all three measuring methods are practically the same for the dominant electron trap (EL2 in all cases). It is more complicated to get correct results for hole traps (minority carrier traps). The peculiarities of all the measuring methods are discussed from this aspect and the results are compared. After having applied a non-exponential mathematical analysis, our modified IDLTS with optical excitation gives the most reliable results in this case. Es wird eine isothermische DLTS-Methode, bei welcher die elektrische Anregung durch einen optischen Impuls ersetzt wird, beschrieben. Im weiteren wird eine Schottky-Diode auf GaAs-Basis Messungen mit verschiedenen Modifikationen der DLTS-Methode unterworfen (MCTS, IDLTS und IDLTS mit optischer Anregung). Die Ergebnisse zeigen, daß für die dominante Störstelle EL2 die gleichen Parameter erhalten werden. Diese Übereinstimmung wird nicht für Löcherstellen erreicht. Die zuverlässigsten Ergebnisse werden mit der optischen DLTS-Methode unter Verwendung der mathematischen Analyse für nichtexponentielle Kurven erreicht.