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Cold-rolled and primary recrystallization textures in cold-rolled single crystals of silicon iron

1954; University of Toronto Press; Volume: 2; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1016/0001-6160(54)90156-x

1878-0768

C. G. Dunn,

Metallurgy and Material Forming

Quantitative pole figures are given for the cold-rolled textures and the primary recrystallization textures obtained from single crystals of silicon iron. The orientation changes produced by cold rolling, by primary recrystallization, and by secondary recrystallization are discussed. Each primary recrystallization texture is shown to consist of several preferred orientations with one component predominant. Minor components are shown to have the orientations found for components of the secondary recrystallization texture when secondary recrystallization occurs on further annealing. The conclusion is reached that large primaries from a minor component of the primary recrystallization structure grow and become secondaries of the same preferred orientation, provided they are large enough to grow in competition with other primaries and do not come from a component which by itself or together with a twin component represents too large a fraction of the texture. The results obtained for both primary and secondary recrystallization agree better with the oriented-nucleation growth-selectivity theory than with other current theories. On donne des figures polaires, quantitatives, des textures de laminage à froid et des textures de la recristallisation primaire, obtenues de monocristaux de fer au silicium. Les changements d'orientation produits par le laminage à froid et par les recristallisation primaire et secondaire, sont discutés. Il est montré que chaque texture de recristallisation primaire consiste en plusieurs orientations privilégiées, avec la prédominance d'une composante. Il est montré que des composantes secondaires ont les mêmes orientations qu'on trouve dans les textures de la recristallisation secondaire, quand on obtient de la recristallisation secondaire en prolongeant le recuit. On en conclut que de grands cristaux primaires d'une composante secondaire de la structure de recristallisation primaire croissent et deviennent des cristaux secondaires de la même orientation privilégiée, pourvu qu'ils soient suffisamment grands pour pouvoir croître malgré la compétition d'autres cristaux primaires, et ne proviennent pas d'une composante qui par elle-même, ou avec une composante en macle, représente une trop grande fraction de la texture. Les résultats obtenus dans les deux cas de recristallisations primaire et secondaire sont en meilleur accord avec la théorie de la germination orientée et croissance sélective qu'avec les autres théories courantes. Es werden quantitative Polfiguren für die Kaltwalztexturen und für die primären Rekristallisationstexturen von Silicon-Eisen Einkristallen mitgeteilt. Die Orientierungsänderungen, die durch Kaltwalzen, durch primäre und durch sekundäre Rekristallisation hervorgerufen werden, werden diskutiert. Es wird gezeigt, dass jede primäre Rekristallisationstextur aus mehreren bevorzugten Orientierungen besteht, von denen eine überwiegt; (Hauptanteil). Die andern bevorzugten Orientierungen (Nebenanteile) sind identisch mit denen der Komponenten der sekundären Rekristallisationstexturen, die sich nach weiterem Glühen bilden. Es wird aus diesen Beobachtungen geschlossen, dass grosse Primärkeime der Nebenanteile der primären Rekristallisationsstruktur wachsen und Sekundärkeime der gleichen bevorzugten Orientierung werden, vorausgesetzt dass sie sowohl gross genug sind um gleichzeitig mit anderen Primärkeimen zu wachsen, als auch von keinem Anteil herrühren, der-allein oder zusammen mit einer Zwillingskomponente-einen zu grossen Bruchteil der Gesamttextur darstellt. Sowohl die für die primäre als auch für die sekundäre Rekristallisation gewonnenen Resultate stimmen besser mit der Theorie der orientierten Keimbildung mit selektivem Wachstum als mit anderen bekannten Theorien überein.