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Dependence of MOS transistor threshold voltage on substrate resistivity

1967; Elsevier BV; Volume: 10; Issue: 6 Linguagem: Inglês

10.1016/0038-1101(67)90142-6

1879-2405

S. D. Brotherton,

Silicon and Solar Cell Technologies

The effect of the substrate resistivity on the threshold of surface inversion in the MOS system is analysed and an expression is derived relating the threshold voltage of MOS transistors to the impurity concentration in the substrate. MOS transistors and capacitors were fabricated on substrates having a wide range of resistivities, and the results obtained were in good agreement with the theoretically expected values. On analyse l'effet de la re´sistivite´de couche sur le seuil d'inversion de surface et on de´rive une expression reliant la tension de seuil des transistors MOSa`la concentration d'impurete´dans la couche. Des transistors MOS et des condensateurs onte´te´fabrique´s sur des couches ayant une gammee´tendue de re´sistivite´s et les re´sultats obtenuse´taient en bon accord avec les valeurs the´oriques pre´vues. Die Auswirkung des Substratwiderstandes auf die Einsatzspannung an der Steuerelektrode fu¨r Oberfla¨chen-inversion in MOS-Systemen wird analysiert. Ein Ausdruck wird abgeleitet, welcher die Einsatzspannung von MOS-Transistoren und die Sto¨rstellenkonzentration im Substrat zueinander in Beziehung setzt. MOS-Transistoren und -Kondensatoren wurden mit Substraten hergestellt, deren Widerstandswerte in einem weiten Bereich variierten. Die erhaltenen Ergebnisse zeigten guteU¨bereinstimmung mit den theoretischen Erwartungen.