Portal de Periódicos da CAPES

Züchtung von Silizium‐Einkristallen mit 300 mm Durchmesser

1999; Wiley; Volume: 11; Issue: 1 Linguagem: Alemão

10.1002/vipr.19990110110

1522-2454

Burkhard Altekrüger, Martin Gier,

3D IC and TSV technologies

Abstract Perfekte und homogene einkristailline Silizium‐Wafer aus Si‐Kristallen, gezüchtet nach dem Czochralski (CZ)‐ oder dem Float‐Zone (FZ)‐Prozess, sind Basismaterial und Substrat für nahezu alle modernen Halbleiterbauelemente der heutigen Mikroelektronik. Die Züchtung von Si‐Einkristallen mit hoher kristallographischer Perfektion und Homogenität erfordert eine hochentwickelte Prozesstechnologie und Anlagentechnik. Aus ökonomischen Gründen steigen dabei auch die Anforderungen an die Größe der gezüchteten Si‐Kristalle und an die Durchmesser der Si‐Wafer immer weiter. Die in der Mikroelektronik eingesetzten Si‐Wafer haben heute überwiegend Durchmesser von 6″ (150 mm) und 8″ (200 mm). Z. Zt. wird intensiv an der Einführung der neuen 300 mm‐Wafer‐Generation gearbeitet. Diese Einführung erfordert in einem relativ kurzem Zeitraum große Anstrengungen in der Prozess‐ und Equipment‐Entwicklung und einen hohen Kapitalaufwand für die Erprobung, Evaluation und Implementierung. Am Beispiel der neuen 300 mm‐Si‐Kristallziehanlagen‐Generation EKZ 3000 von Leybold Systems wird die Entwicklung und Erprobung von 300 mm‐Si‐Equipment dargestellt und über erste Ergebnisse berichtet.