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Caractérisation par microsonde électronique de couches minces de Cd 1-xZnxS pour cellules solaires

1980; EDP Sciences; Volume: 15; Issue: 2 Linguagem: Francês

10.1051/rphysap

2777-3671

J.F. Bresse, M. Lumbreras-Ginter, A. Rossi, M. Cadène,

Advanced Semiconductor Detectors and Materials

Des couches de Cd1-xZnxS, obtenues par une methode d'evaporation classique a partir d'une solution solide de quelques micrometres d'epaisseur, ont ete analysees grâce a une microsonde electronique de Castaing. Dans l'epaisseur des couches correspondant a x = 0,09 et 0,10, un gradient important de l'element Zn a pu etre mis en evidence et caracterise quantitativement parallelement aux elements Cd et S. Les mesures effectuees sur la tranche a partir des profils d'emission X et sur la surface pour differentes energies du faisceau incident ont ete comparees et ont permis en particulier de mettre en evidence la variation des gradients lors d'un recuit thermique.