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Artigo Revisado por pares
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Growth parameters effect on the thermoelectric characteristics of Bi2Se3 thin films grown by MOCVD system using Ditertiarybutylselenide as a precursor

2003; Elsevier BV; Volume: 258; Issue: 1-2 Linguagem: Inglês

10.1016/s0022-0248(03)01511-2

ISSN

1873-5002

Autores

A. Al Bayaz, Alain Giani, Mohamed Al Khalfioui, A. Foucaran, F. Pascal‐Delannoy, Alexandre Boyer,

Tópico(s)

Topological Materials and Phenomena

Referência(s)