Artigo
Solutions to Gate Oxide Integrity on TFSOI Substrates Caused by PMOS Threshold-Voltage Implant
1998; Cambridge University Press; Volume: 510; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-510-417
ISSN1946-4274
AutoresSeon‐Eui Hong, T. Wetteroth, S. R. Wilson, B.C.H. Steele, D.K. Schroder,
Tópico(s)Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
Referência(s)