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Halleffekt und Leitfähigkeit von Kristallen des Systems In 2 Te 3 −Sb 2 Te 3 (Halbleitereigenschaften von Telluriden, XV)

1969; Wiley; Volume: 478; Issue: 3-4 Linguagem: Alemão

10.1002/andp.19694780303

1521-3889

W. Schulz, H. Nieke,

Crystal Structures and Properties

Abstract Im System In (2−x) Sb x Te 3 ließen sich Einkristalle nur mit der Zusammensetzung x = 2 bis 0,8 ziehen, sonst wurden polykristalline Proben verwendet. Bei allen polykristallinen Proben, außer der mit x = 1, weist das Vorzeichen der Thermokraft bei Zimmertemperatur auf p ‐Leitung hin. Die Probe mit x = 1 zeigt einen Umschlag von p ‐ nach n ‐Leitung im zuletzt erstarrten Ende. Bei den gezogenen Kristallen ist nur bei der Probe mit x = 1 ein lokalisierter p ‐ n ‐Übergang festzustellen. Die anderen gezogenen Kristalle (Spaltebenen vorhanden, im Schliffbild aber inhomogen) von x = 0,8 bis x = 1,3 zeigen p ‐ und n ‐Leitung verstreut über Probenlänge‐ und Umfang. Mit wachsender Temperatur ( − 190 bis + 400 °C) vergrößert sich die Leitfähigkeit und sinkt die Hallkonstante, bei Proben der Einwaage x = 0 bis 1, bei x = 1,8 bis 2 ist dies genau umgekehrt. Proben mit x = 1,2 bis 1,6 zeigen ein Übergangsverhalten. Von x = 0 an steigt die Ladungsträgerkonzentration. Die aus der Eigenleitungsgeraden ermittelte Breite der verbotenen Zone sinkt für x = 0 bis 1,6. Für x = 1,8 bis 2 wird der Abstand der Valenzbänder zu etwa 0,08 eV berechnet.