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Artigo
BIBTEX RIS

Quantized hall and transverse resistivities in silicon MOS n-inversion layers

1983; Elsevier BV; Volume: 117-118; Linguagem: Inglês

10.1016/0378-4363(83)90630-7

ISSN

1873-2127

Autores

Kazuo Yoshihiro, J. Kinoshita, Katsuya Inagaki, Chikako Yamanouchi, J. Moriyama, Shinji Kawaji,

Tópico(s)

Semiconductor materials and devices

Referência(s)
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