Artigo Revisado por pares

Influence of C/Si Ratio on the 4H-SiC (0001) Epitaxial Growth and a Keynote for High-Rate Growth

2004; Trans Tech Publications; Volume: 457-460; Linguagem: Inglês

10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.213

ISSN

1662-9760

Autores

Yuuki Ishida, Tomoyuki Takahashi, Kazutoshi Kojima, Hajime Okumura, Kazuo Arai, Sadafumi Yoshida,

Tópico(s)

Advanced ceramic materials synthesis

Referência(s)
Altmetric
PlumX