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Zur kinetik der rekristallisation von kupfer nach tieftemperaturverformung

1965; University of Toronto Press; Volume: 13; Issue: 7 Linguagem: Alemão

10.1016/0001-6160(65)90148-3

1878-0768

H.D. Mengelberg, M. Meixner, K. Lücke,

Aluminum Alloy Microstructure Properties

Zusammenfassung Fur zwei Kupfersorten der Reinheit von 99,99 bzw. 99,999% wurde die Rekristallisationskinetik nach Raumtemperaturverformung sowie insbesondere nach Verformung unter flussiger Luft nach Abwalzgraden von 95% untersucht. Der Fortschritt der Rekristallisation wurde durch Verfolgen der Mikroharte, der Anzahl scharfer Laue-Punkte, des Bruchteils an rekristallisierter Schlifffilache und insbesondere des aus Polfiguren entnehmbaren Anteils an Walz- bzw. Rekristallisationstexturen im Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 150°C bestimmt. Es ergab sich, dass nach Verformung unter flussiger Luft die Rekristallisationsgeschwindigkeit um einen Faktor etwa 1000 grosser war als nach Raumtemperaturverformung, was dazu fuhrte, dass das 99,99%ige Kupfer nach Tieftemperaturwalzung bereits bei Raumtemperaturauslagerung innerhalb weniger Tage vollstandig rekristallisierte. Aus den Halbwertszeiten der Rekristallisation liessen sich Aktivierungsenergien von 24,9 kcal/mol fur Raumtemperaturverformung und von 17,8 kcal/mol fur Tieftemperaturverformung ableiten. Dieser Effekt ist insofern uberraschend, als die treibende Kraft der Korngrenzenbewegung sicherlich hochstens um einen Faktor 10 durch Tieftemperaturverformung vergrossert wird. Von den verschiedenen Deutungsversuchen beruht der wahrscheinlichste auf der Annahme, dass die bei Tieftemperaturverformung erzeugten Leerstellen nicht wie nach Raumtemperaturverformung spontan ausheilen, sondern erst von der wandernden Korngrenze aufgesammelt werden und somit deren Beweglichkeit erhohen.