Nanostructured chromium nitride films with a valley of residual stress
2004; Elsevier BV; Volume: 472; Issue: 1-2 Linguagem: Inglês
10.1016/j.tsf.2004.06.116
ISSN1879-2731
AutoresZ. B. Zhao, Z. U. Rek, S. M. Yalisove, J. C. Bilello,
Tópico(s)GaN-based semiconductor devices and materials
Referência(s)