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Artigo Produção Nacional Revisado por pares

BIBTEX RIS

Very high non-thermal equilibrium population of optical phonons in GaAs

1974; Elsevier BV; Volume: 14; Issue: 11 Linguagem: Francês

10.1016/0038-1098(74)90302-0

1879-2766

E. Gallego Lluesma, Guilherme Ramalho Mendes, Carlos Argüello, R. C. C. Leite,

Cold Atom Physics and Bose-Einstein Condensates

Extremely high equivalent temperatures of optical phonons were obtained in GaAs without detectable increase in the lattice temperature. The improvement upon previous experiment was due to the use of a pulsed Nd:Yag laser which was doubled by the GaAs sample itself and absorbed in its bulk. The non-equilibrium LO-phonon population attained before crystal breakdown was ∼ 27 times larger than the thermal equilibrium population at the room temperature (290K). The equivalent temperature observed for LO-phonons was ∼3700K. Des temperatures equivalentes extrémement élevées de fonons optiques ont été obtenues en GaAs sans augmentation détectable de la temperature du réseau. L'amélioration par rapport aux experiences antérieures est dûe à l'emploi d'un laser pulsé de Nd:YAG, dont la fréquence est doublée par l'échantillon de GaAs, et absorbé à l'intérieure. La distribuition non-équilibrée de fonons LO obtenue avant d'endommager le cristal a été approximativement 27 fois plus grande que la population en équilibre thermique avec le réseau (290K). La temperature équivalente observée pour le fonon LO a été ≃ 3700K.