Electrothermal model of switching in amorphous boron and silicon thin films
1974; Elsevier BV; Volume: 15; Issue: 3 Linguagem: Francês
10.1016/0038-1098(74)91140-5
ISSN1879-2766
AutoresCharles Feldman, Harry K. Charles,
Tópico(s)Transition Metal Oxide Nanomaterials
ResumoObservation of the times involved in one switching cycle and the location of the conducting filament formed suggests a mechanism for switching. It is postulated that joule heating in the sample interior predetermines high conducting (avalanche) paths which in turn lead to RC discharge and filament formation. Des observations sur les temps compris dans un cycle d'interruption distable et sur le lieu du filament conducteur formé suggèrent un mécanisme de l'effet dans les couches minces. On postule que la chaleur Joule à l'intérieur de l'échantillon détermine au préalable un chemin hautement conducteur (avalanche) qui ensuite induit la décharge RC et la formation du filament.
Referência(s)