Wave vector dependence and numerical value of the scattering efficiency for the resonant Raman effect in CdS
1970; Elsevier BV; Volume: 8; Issue: 24 Linguagem: Alemão
10.1016/0038-1098(70)90227-9
ISSN1879-2766
AutoresPriscilla J. Colwell, M. V. Klein,
Tópico(s)Semiconductor Quantum Structures and Devices
ResumoAn attempt was made to observe the phonon wave vector dependence of the 1-LO resonant Raman effect by comparing forward and back scattered intensities from CdS at room temperature. There was no intensity dependence on the scattering wave vector. We have also measured the absolute Raman efficiency and compared it with the result of a calculation assuming bound excitons as intermediate states. Es wurde versucht, die Abhaengigkeit des 1-LO Resonanz Raman Effekts vom Phononwellenvektor zu beobachten, indem die Streuintensitaeten bei Vorwaerts- und Rueckwaertsstreuung an CdS bei Raumtemperatur verglichen wurden. Es wurde keine Abhaengigkeit der Intensitaet vom Streuwellenvektor gefunden. Zusaetzlich wurder der absolute Ramanwirkungsgrad gemessen und mit den Ergebnissen einer Rechnung verglichen, die gebundene Excitonen als Zwischenzustaende annimmt.
Referência(s)