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Hall effect measurements of hole mobility in an inversion layer of a mos structure at low temperatures

1972; Elsevier BV; Volume: 10; Issue: 1 Linguagem: Francês

10.1016/0038-1098(72)90349-3

1879-2766

Celso Ribeiro, J. C. Pfister,

Magnetic properties of thin films

Hall mobility measurements are made on p-channel MOS transistors with appropriate geometry between 16 and 300°K and carrier densities up to 7 × 10−2 cm−2. A semi-quantitative description is given involving lattice vibrations, ionized impurities and transverse electric field quantization. The results are fitted by a three-term expression using these mechanisms. Ce travail présente les mesures de mobilité Hall effectuées sur des transistors MOS, dans la gamme de temperatures 16°K à 300°K et pour des densités de porteurs allant jusqu'à 7 × 10 12 cm−2. Une description semi-quantitative est donnée en utilisant un modéle que fait intervenir les effets des centres ionisés, les vibrations du réseau cristallin et la quantification par le champ electrique transverse appliqué.