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Die kristallstruktur von octamethylcyclotetrasilan bei 87 K

1983; Elsevier BV; Volume: 247; Issue: 3 Linguagem: Inglês

10.1016/0022-328x(83)85167-5

1872-8561

Christoph Kratky, Hans George Schuster, Edwin Hengge,

Silicone and Siloxane Chemistry

The crystal structure of octamethylcyclotetrasilane was determined at 87 K by X-ray diffraction methods: C8H24Si4, monoclinic, P21/n, a 7.650(2), b 7.452(1), c 13.320(10), Å, β 103.48(2)°, Z = 2, dx 1.046 g cm−3. In the crystal, Si4Me8 molecules are located at crystallographic inversion centers, which constrains the Si4-ring to be planar. Die Kristallstruktur von Octamethylcyclotetrasilan wurde bei 87 K mit Röntgenbeugungsmethoden bestimmt: C8H24Si4, monoklin, P21/n, a 7.650(2), b 7.452(1), c 1.320(10) Å, β 103.48(2)°, Z = 2, dx 1.046 g cm−3. Die Si4Me8 Moleküle sind im Kristall an kristallographischen Inversionzentren lokalisiert, womit der Si4-Ring im Kristall planar beobachtet wird.