Transientes Ultra-rápidos de Transporte no Nitreto de Gálio
2000; Volume: 1; Issue: 1 Linguagem: Português
10.5196/physicae.1.2
ISSN2236-3521
Autores Tópico(s)Chemical and Physical Properties of Materials
ResumoUtilizando uma Teoria Cinetica Quântica Nao Linear, obtida a partir de uma formulacao mecânico-estatistica, o Metodo do Operador Estatastico de Nao Equilibrio na forma de Zubarev, obtem-se as equacoees que governam a evolucao do estado de nao equilibrio de um semicondutor polar intrinseco de gap direto altamente fotoexcitado (plasma fotoinjetado) submetido a um campo eletrico constante. Particularmente, o semicondutor analisado foi o Nitreto de Galio na forma zincblende. Sao obtidas as equacoes de evolucao temporal para: o momento dos portadores, para a energia dos portadores, a energia dos fonons opticos longitudinais e transversais.
Referência(s)