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Artigo
BIBTEX RIS

A multiple pass application of the Boltzmann transport equation for calculating ion implantation profiles at low energies

1983; Elsevier BV; Volume: 209-210; Linguagem: Inglês

10.1016/0167-5087(83)90778-0

ISSN

1872-9606

Autores

M.D. Giles, J. F. Gibbons,

Tópico(s)

Semiconductor materials and devices

Referência(s)