STRUCTURAL PROPERTIES OF a-Si AND a-Si : H BY EXAFS
1986; EDP Sciences; Volume: 47; Issue: C8 Linguagem: Inglês
10.1051/jphyscol
ISSN2777-3418
AutoresA. Filipponi, D. Della Sala, F. Evangelisti, A. Balerna, S. Mobilio,
Tópico(s)Semiconductor materials and interfaces
ResumoA comparative EXAFS s t u d y of t h e f i r s t -s h e l l s i g n a l s of c-Si, a-Si and a-Si:H is presented.First-neighbour coordination, d i s t a n c e and Debye-Waller f a c t o r a r e reported and discussed.
Referência(s)