Artigo
Revisado por pares
Chemical contribution of oxygen to silicon carbide plasma etching kinetics in a distributed electron cyclotron resonance (DECR) reactor
1999; Springer Science+Business Media; Volume: 28; Issue: 3 Linguagem: Inglês
10.1007/s11664-999-0017-y
ISSN1543-186X
AutoresFrédéric Lanois, Dominique Planson, Marie‐Laure Locatelli, P. Lassagne, C. Jaussaud, Jean-Pierre Chante,
Tópico(s)Semiconductor materials and devices
Referência(s)