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Artigo Revisado por pares
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Influence of arsenic overpressure on Light-Output and degradation behavior of GaAsP: Se Led’s

1977; Springer Science+Business Media; Volume: 6; Issue: 6 Linguagem: Inglês

10.1007/bf02660339

ISSN

1543-186X

Autores

Heinz Hämmerling, Daniel Huber,

Tópico(s)

GaN-based semiconductor devices and materials

Referência(s)
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Journal of Electronic Materials
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