Artigo
Revisado por pares
Effect of surface encapsulation and As4 overpressure on Si diffusion and impurity-induced layer disordering in GaAs, AlxGa1-xAs, and AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures
1988; Springer Science+Business Media; Volume: 17; Issue: 1 Linguagem: Inglês
10.1007/bf02652233
ISSN1543-186X
AutoresL. J. Guido, W. E. Plano, D. W. Nam, N. Holonyak, J. E. Baker, R. D. Burnham, P. Gavrilović,
Tópico(s)Silicon and Solar Cell Technologies
Referência(s)