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Artigo Acesso aberto Revisado por pares
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Synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial GaAs on high-quality Ge

2006; Elsevier BV; Volume: 563; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1016/j.nima.2006.01.066

ISSN

1872-9576

Autores

A. Lankinen, L. Knuuttila, Jaakko Tuomilehto, Pasi Kostamo, Antti Säynätjoki, Juha Riikonen, Harri Lipsanen, P.J. McNally, Xiaoqing Lü, Heikki Sipilä, S. Vaijärvi, D. Lumb,

Tópico(s)

Semiconductor Quantum Structures and Devices

Referência(s)