Artigo
Influence of Nitrogen or Argon Anneals on the Properties of Simox Wafers And Devices
1996; Cambridge University Press; Volume: 446; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-446-213
ISSN1946-4274
AutoresS. Cristoloveanu, A. M. Ionescu, T. Wetteroth, H.C. Shin, Daniela Munteanu, Paulo Gentil, Seon‐Eui Hong, S. R. Wilson,
Tópico(s)Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
Referência(s)