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Artigo Revisado por pares
BIBTEX RIS

Characterization of deep centers in bulk n-type 4H–SiC

2001; Elsevier BV; Volume: 308-310; Linguagem: Inglês

10.1016/s0921-4526(01)00876-6

ISSN

1873-2135

Autores

Z-Q. Fang, D. C. Look, A. Saxler, W. C. Mitchel,

Tópico(s)

Semiconductor materials and interfaces

Referência(s)
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