Shubnikov-de Haas effects in Bi2Se3 with high carrier concentrations
1973; Elsevier BV; Volume: 13; Issue: 3 Linguagem: Alemão
10.1016/0038-1098(73)90586-3
ISSN1879-2766
AutoresG.R. Hyde, R. O. Dillon, H.A. Beale, Ian L. Spain, John A. Woollam, D. J. Sellmyer,
Tópico(s)Physics of Superconductivity and Magnetism
ResumoShubnikov-de Haas frequencies were measured in highly degenerate n-type Bi2Se3 having a higher carrier density (∼9 × 1025m-3) than previously reported. The Fermi surface was found to be elongated along the trigonal axis, fitting a spheroidal model with an axial ratio of 5.0 for angles up to θ = 45°. Comparison of the number of carriers obtained from Hall measurements with that obtained from the Shubnikov-de Haas measurement supports the contention that the lowest conduction band minimum is a single surface located in the center of the Brillouin zone. The higher effective mass (0.25 m0) found for these carrier concentrations indicates that the band is non-parabolic. Die in einem höchst degenerierten n-Typ Bi2Se3 gemessenen Shubnikov-de Haas Frequenzen ergaben ein höheres spezifisches Gewicht (∼9 × 1025m-3) als vorher berichtet wurde. Man fand, dass man die Fermi Oberfläche durch eine Ausdehnung entlang det Trigonalachse einem sphäroidischen Modell mit einem Achsenverhältnis von 4.8 für Winkel bis zu θ = 45° anpassen kann. Ein Vergleich, der durch Halls Messungen erhaltene Trägeranzahl mit den de Haasischen Trägeranzahlmessungen unterstützt die Behauptung, dass das niedrigste Leistungsbandminimum eine einzige Oberfläche ist, die im Mittelpunkt der Brillouin zone liegt. Die höhere effektive Masse (0.25 m0), die für diese Trägerkonzentrierung gefunden wurde, lässt erkennen, dass das Band nicht parabolisch ist.
Referência(s)