Artigo
Modulation Doped Si/SiGe Heterostructures
1991; Cambridge University Press; Volume: 220; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-220-433
ISSN1946-4274
AutoresF. Schäffler, Daimler-Benz Ag,
Tópico(s)Semiconductor materials and devices
Referência(s)