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CsF, Cs as a low work function layer on the GaAs photocathode

1970; Wiley; Volume: 2; Issue: 3 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.19700020311

1521-396X

S. Garbe,

Ga2O3 and related materials

Adsorbed films of CsF covered with a monolayer of Cs on GaAs reduce the work function to a value of 1 eV. The advantages of such a layer compared to Cs or Cs, O are increased thermal stability and the possibility of reducing the p-type doping and/or the band gap of the semiconductor, by using mixed crystals of GaAs and InAs. The Fermi level position is less than 0.4 eV above the valence band edge at the surface. For CsF, Cs on p-type GaAs the optimum escape probability is 0.5 for UHV cleaved crystals in the doping range between 1.3 × 1018 and 5.1 × 1019 cm−3. For mixed crystals of Ga0.85In0.15As the threshold photoemission was reduced to 1.1 eV. Auf GaAs adsorbierte CsF-Filme, die mit einer Cs-Monoschicht bedeckt sind, erniedrigen die Austrittsarbeit auf 1 eV. Die Vorteile einer derartigen Schicht gegenüber Cs oder Cs, O sind bessere thermische Stabilität und die Möglichkeit, die Dotierung des Halbleiters zu erniedrigen oder Materialien geringeren Bandabstandes wie Mischkristalle von GaAs und InAs zu verwenden. Die Lage des Fermi-Niveaus an der Oberfläche des GaAs ist weniger als 0,4 eV über dem Valenzband. Für mit CsF, Cs bedeckte, im UHV gespaltene p-leitende Kristalle des GaAs ist die optimale Elektronenaustrittswahrscheinlichkeit 0,5 für Dotierungen von 1.3 × 1018 bis 5.1 × 1019 cm−3. Der Schwellenwert der Photoemission aus Ga0.85In0.15As wurde auf 1,1 eV erniedrigt.