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GROWTH OF THIN ALUMINA FILM ON ALUMINIUM AT ROOM TEMPERATURE : A KINETIC AND SPECTROSCOPIC STUDY BY SURFACE PLASMON EXCITATION

1983; EDP Sciences; Volume: 44; Issue: C10 Linguagem: Francês

10.1051/jphyscol

2777-3418

P. Dumas, J. P. Dubarry-Barbe, Denis Rivière, Yves Lévy, J. Corset,

Semiconductor materials and devices

Résume : Les paramètres cinétiques, ainsi que l'épaisseur limite de l'alumine formée par oxydation de 1'aluminium, à température et à pression ambiantes, ont été déterminées par la technique de réflexion totale atténuée.Le film d'oxyde croît rapidement et atteint une épaisseur limite de 32 S après 10minutes d'exposition à l'air.Des temps d'exposition ultérieurs n'entrainent qu'une faible augmentation de l'épaisseur de l'alumine (environ 40 Â après trois mois d'exposition).Une étude par spectroscopie Raman révèle la présence d'entités OH à la surface de l'alumine, dont les fréquences de vibration sont identiques à celles enregistrées pour des OH adsorbés sur de l'alumineY-Par contre, aucun signal Raman pouvant être attri buë à 1 ' al umi ne n ' a été observé.